DTB結晶器是一種晶漿內循環(huán)結晶器。它的典型特點是結晶器內部有攪拌器、導流筒和擋板，以及配套的換熱裝置、細晶消除裝置。

晶漿料液通過內置的攪拌器從內導流筒的底部上升，至液面處與過飽和度***大的區(qū)域接觸，消耗掉過飽和度。又沿著內導流筒和外導流筒之間的環(huán)形局域下降，在結晶器筒體和外導流筒之間的環(huán)隙處，晶漿液和澄清液分離，晶漿液繼續(xù)向下循環(huán)。澄清液從外環(huán)隙進入細晶消除裝置溶解掉過量的細小晶核，這保證了晶核不會過量，使得晶體的粒度分布較均勻。

在蒸發(fā)結晶過程中,過飽和度的產生速率取決于蒸發(fā)速率,即設備的蒸發(fā)強度。蒸發(fā)強度愈大,其產生過飽和度的速度愈快,越易形成過高的過飽和度。而過飽和度的消除主要依賴于晶體的自發(fā)成核和晶體的成長過程。如果在結晶器內,具有足夠的晶體表面和較快的成長速率,由于蒸發(fā)所產生的過飽和度,能全部成長在晶體表面上,溶液的過飽和度不會因為超過溶液的***大過飽和度而使溶質以成核過程來消除過飽和度,從而不會產生大量的晶核。

如果溶液中晶體表面不足,晶體的生長不足以消除由于蒸發(fā)所產生的過飽和度,使得溶液的過飽和度過高,而處于不穩(wěn)定區(qū)域,溶液的過飽和度將以自發(fā)成核過程來消耗過飽和度,從而形成大量的細小顆粒。因而需要對蒸發(fā)結晶過程中的蒸發(fā)強度進行控制，使結晶體系的過飽和度始終處于結晶介穩(wěn)區(qū)之內，從而保證所設計的蒸發(fā)結晶設備能生產出符合設計任務要求的產品。

晶體在生長區(qū)的停留時間越長,晶體生長的時間越長,晶體粒度越大。大粒度晶體的生成必須有足夠的生長時間。我們將在準確的結晶動力學數據的基礎上,根據晶體生長速率和設計任務中所要求的粒度設計成合適的DTB結晶器。

在原有DTB結晶器的基礎上，康景輝對該結晶器做了大量改進，使得其更加符合實際生產的工況。

操作方法：有連續(xù)結晶、間歇結晶

結晶方法：水冷卻結晶、蒸發(fā)結晶、冷凍結晶、真空結晶

設計方法：MDP2016